热烈庆贺造极电气与北大东莞研究院获得THVPE晶体控制系统软件著作权

氮化镓半导体材料是继硅和砷化镓材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。目前GaN材料主要应用于射频与功率器件领域，随着5G的发展，射频器件需求增大，氮化镓市场随之扩张。

造极电气协助北京大学东莞光电研究院在GaN晶体生长设备中设计了一套完整的控制系统，通过上位机和电气控制系统同时工作，提高设备的可控性和稳定性。